对比图
型号 IRLR024NTRLPBF IRLR024ZTRLPBF IRLR024NTRL
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 55V 16ADPAK N-CH 55V 17A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 38 W - -
漏源极电阻 0.11 Ω - -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 45 W 35W (Tc) 45W (Tc)
输入电容 480 pF - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55 V - -
连续漏极电流(Ids) 17A 16A 17A
上升时间 74 ns 43 ns -
输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 380pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)
下降时间 29 ns 16 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 45W (Tc) 35W (Tc) 45W (Tc)
长度 6.73 mm - -
宽度 6.22 mm - -
高度 2.39 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free