对比图
型号 IRLR8743PBF IPD031N03L G IRLR8113PBF
描述 INFINEON IRLR8743PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 30 V, 3.1 mohm, 10 V, 1.9 VIInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 135 W - -
通道数 1 1 -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0031 Ω 2.6 mΩ 0.006 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 135 W 94 W 89 mW
阈值电压 1.9 V 1 V 2.25 V
输入电容 4880pF @15V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 160A - 94A
上升时间 35 ns 6 ns 3.8 ns
输入电容(Ciss) 4880pF @15V(Vds) 4000pF @15V(Vds) 2920pF @15V(Vds)
下降时间 17 ns 5 ns 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135W (Tc) 94 W 89W (Tc)
额定功率(Max) - 94 W 89 W
长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.3 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -