CY7C1021CV33-10VXC和K6R1016V1D-JC10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1021CV33-10VXC K6R1016V1D-JC10 CY7C1021DV33-10VXI

描述 1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAM64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1021DV33-10VXI  芯片, 存储器, SRAM, 1Mb, 并行口, 10NS, SOJ-44

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Samsung (三星) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BSOJ-44 SOJ SOJ-44

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 44

封装 BSOJ-44 SOJ SOJ-44

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

电源电压 3V ~ 3.6V - 3V ~ 3.6V

供电电流 - - 60 mA

针脚数 - - 44

位数 - - 16

存取时间 - - 10 ns

内存容量 - - 125000 B

存取时间(Max) - - 10 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃

ECCN代码 - - 3A991.b.2.b

香港进出口证 - - NLR

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