IXFK120N25P和IXTK120N25P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK120N25P IXTK120N25P IXFK120N25

描述 Trans MOSFET N-CH 250V 120A 3Pin(3+Tab) TO-264IXYS SEMICONDUCTOR  IXTK120N25P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 250 V, 24 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3Pin(3+Tab) TO-264AA

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 24 mΩ 0.024 Ω 22 mΩ

极性 - N-Channel -

耗散功率 700 W 700 W 560 W

阈值电压 - 5 V -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) - 120 A -

上升时间 33 ns 33 ns 38 ns

输入电容(Ciss) 8000pF @25V(Vds) 8000pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 700 W -

下降时间 33 ns 33 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 700W (Tc) 700W (Tc) 560W (Tc)

通道数 1 - 1

漏源击穿电压 250 V - 250 V

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

长度 19.96 mm - 19.96 mm

宽度 5.13 mm - 5.13 mm

高度 26.16 mm - 26.16 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99

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