对比图
型号 PEMD24 PEMD24,115
描述 NPN / PNP电阻配备晶体管R1 = 100千瓦， R2 = 100千瓦 NPN/PNP resistor-equipped transistors R1 = 100 kW, R2 = 100 kWSOT-666 NPN+PNP 50V 20mA
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-666 SOT-666
引脚数 - 6
极性 NPN+PNP NPN+PNP
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 20mA 20mA
耗散功率 - 0.3 W
最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 5V
额定功率(Max) - 300 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
封装 SOT-666 SOT-666
高度 - 0.6 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free