对比图
型号 SIHF12N60E-E3 STF16N65M5 STF15NM60ND
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS STF16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 VN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.32 Ω 0.23 Ω 0.27 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 90 W 30 W
阈值电压 2 V 4 V 4 V
输入电容 - 1250 pF -
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 12A 12A -
上升时间 19 ns 7 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 937pF @100V(Vds) 1250pF @100V(Vds) 1250pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 147 W 25 W 30 W
下降时间 19 ns 8 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 33000 mW 25000 mW 30W (Tc)
通道数 - - 1
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.3 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - - NLR