IPI26CNE8NG和IPP26CNE8NG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI26CNE8NG IPP26CNE8NG

描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-262 TO-220

额定电压(DC) - 85.0 V

额定电流 - 35.0 A

输入电容 - 2.07 nF

栅电荷 - 31.0 nC

漏源极电压(Vds) - 85.0 V

连续漏极电流(Ids) - 35.0 A

封装 TO-262 TO-220

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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