DS1230WP和M48Z35AV-10MH1E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1230WP M48Z35AV-10MH1E DS1230YL-70+

描述 Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS,5.0V或3.3V , 256Kbit ( 32Kbit ×8 ) ZEROPOWER㈢ SRAM 5.0V or 3.3V, 256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER㈢ SRAMNon-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 28 -

封装 - SOP-28 DMA

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 - 100 GHz -

存取时间 - 100 ns -

内存容量 - 256000 B -

存取时间(Max) - 100 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

长度 - 18.49 mm -

宽度 - 8.89 mm -

高度 - 2.69 mm -

封装 - SOP-28 DMA

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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