NTMFS4C10NT1G和NTMFS4C10NT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTMFS4C10NT1G NTMFS4C10NT3G NTMFS4921NT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4C10NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2.2 V功率MOSFET的30 V , 46 A单娜????通道, SOA ???? 8 FL Power MOSFET 30 V, 46 A, Single N−Channel, SO−8 FL功率MOSFET的30 V , 58.5 A单N沟道, SO- 8 FL Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N−Channel, SO−8 FL

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DFN-5 SO-FL-8 DFN-5

引脚数 5 - -

封装 DFN-5 SO-FL-8 DFN-5

长度 6.1 mm - -

宽度 5.1 mm - -

高度 1.05 mm - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 23.6 W - 870mW (Ta), 38.5W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) 22.5A - 13.8A

输入电容(Ciss) 987pF @15V(Vds) - 1400pF @12V(Vds)

耗散功率(Max) 750mW (Ta), 23.6W (Tc) - 870mW (Ta), 38.5W (Tc)

针脚数 5 - -

漏源极电阻 0.0058 Ω - -

阈值电压 2.2 V - -

输出功率 750 mW - -

额定功率(Max) 750 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

电源电压 30 V - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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