IRFZ44NSTRR和STB55NF06T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44NSTRR STB55NF06T4 IRFZ44NSTRLPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3Pin (2+Tab) D2PAK T/RN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 55.0 V

额定电流 49.0 A 50.0 A 49.0 A

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 110 W 3.8 W

产品系列 IRFZ44NS - IRFZ44NS

输入电容 1.47 nF - 1.47 nF

栅电荷 63.0 nC - 63.0 nC

漏源极电压(Vds) 55.0 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 49.0 A 50.0 A 49.0 A

上升时间 60.0 ns 50 ns 60.0 ns

输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) 1470pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W 3.8 W

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.015 Ω -

阈值电压 - 3 V -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 110W (Tc) -

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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