HGTG40N60A4和STGW40NC60V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HGTG40N60A4 STGW40NC60V IXGH60N60

描述 HGTG40N60A4系列 600 V 75 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247N沟道50A - 600V TO- 247超高速IGBT PowerMESH⑩ N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBTTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 40.0 A 50.0 A 75.0 A

额定功率 - - 300 W

耗散功率 625 W 260 W 300000 mW

上升时间 18.0 ns 17.0 ns 25.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 625 W 260 W 300 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625000 mW 260000 mW 300000 mW

极性 - N-Channel -

高度 20.82 mm 20.15 mm 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.87 mm 15.75 mm -

宽度 4.82 mm 5.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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