IXTH32P20T和IXTP32P20T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH32P20T IXTP32P20T IXTA32P20T

描述 Mosfet p-Ch 200V 32A To-247通孔 P 通道 200V 32A(Tc) 300W(Tc) TO-220ABP沟道 200V 32A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3

引脚数 - - 3

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 14500pF @25V(Vds) 14500pF @25V(Vds) 14500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

极性 - - P-CH

连续漏极电流(Ids) - - 32A

上升时间 - - 15 ns

下降时间 - - 12 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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