FDBL86210-F085和NVTFS4824NTWG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDBL86210-F085 NVTFS4824NTWG NTHS5404T1G

描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDBL86210_F085, 169 A, Vds=150 V, 8引脚 PSOF封装N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorON SEMICONDUCTOR  NTHS5404T1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 20 V, 25 mohm, 4.5 V, 600 mV

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 H-PSOF WDFN-8 SMD-8

上升时间 30 ns 27 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 5805pF @75V(Vds) 1740pF @12V(Vds) 740pF @16V(Vds)

下降时间 23 ns 6 ns 28 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 W 3.2W (Ta), 21W (Tc) 1.3W (Ta)

无卤素状态 - Halogen Free -

耗散功率 - 3200 mW 1.3 W

漏源极电压(Vds) - 30 V 20 V

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 5.20 A

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 25 mΩ

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 600 mV

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 7.20 A

额定功率(Max) - - 1.3 W

长度 10.48 mm 3.15 mm 3.1 mm

宽度 9.9 mm 3.15 mm 1.7 mm

高度 2.4 mm 0.75 mm 1.1 mm

封装 H-PSOF WDFN-8 SMD-8

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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