70V659S12BCGI和IDT70V659S12BFI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V659S12BCGI IDT70V659S12BFI 70V659S12DRGI

描述 IC SRAM 4.5Mbit 12NS 256CABGA高速3.3V 64分之128 / 32K ×36异步双端口静态RAM HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAMDual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28MM, 3.5MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 256 - 208

封装 LBGA-256 LFBGA PQFP-208

存取时间 - - 12 ns

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) - - 3.45 V

电源电压(Min) - - 2.4 V

长度 17.0 mm - 28.0 mm

宽度 17.0 mm - 28.0 mm

封装 LBGA-256 LFBGA PQFP-208

厚度 1.40 mm - 3.50 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tray Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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