APT20DC120HJ和APTDC20H1201G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20DC120HJ APTDC20H1201G

描述 ISOTOP碳化硅二极管全桥电源模块 ISOTOP SiC Diode Full Bridge Power Module碳化硅二极管全桥电源模块 SiC Diode Full Bridge Power Module

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw

引脚数 4 10

封装 SOT-227-4 SP-1

正向电压 1.8V @20A 1.8V @20A

最大反向电压(Vrrm) 1200V 1200V

正向电流 20 A 20 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 250 A 250 A

正向电流(Max) 20 A 20 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃

封装 SOT-227-4 SP-1

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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