BC857BMTF和BC860BMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857BMTF BC860BMTF BC857CLT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC857BMTF  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 310 mW, -100 mA, 200 hFEPNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  BC857CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 150 MHz 150 MHz 100 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -45.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 310 mW 310 mW 300 mW

增益频宽积 - 150 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 310 mW 310 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310 mW 310 mW 300 mW

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 200 - 420

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.97 mm 0.93 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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