CY7C1512AV18-250BZXI和CY7C1512KV18-250BZIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1512AV18-250BZXI CY7C1512KV18-250BZIT CY7C1512KV18-250BZXI

描述 CY7C1512AV18 72 Mb (4 Mx18) 250 MHz 1.8 V QDR™-II 2字突发 SRAM -FBGA-165静态随机存取存储器 72Mb 1.8V 4M x 18 250Mhz QDR II 静态随机存取存储器72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

引脚数 - 165 165

存取时间 0.45 ns - 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 - - 250 MHz

位数 - 18 18

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

高度 - - 0.89 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

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