MPSA63和MPSA56,116

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSA63 MPSA56,116 MPSA56

描述 t-Pnp Darlington Amp双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE RADIALTransistor: PNP; bipolar; 80V; 500mA; 625mW; TO92

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics NXP (恩智浦) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 - 3 3

封装 - TO-226-3 TO-92

安装方式 - Through Hole -

耗散功率 - 625 mW 0.625 W

增益频宽积 - - 50 MHz

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @100mA, 1V -

额定功率(Max) - 625 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 625 mW -

封装 - TO-226-3 TO-92

长度 - 4.8 mm -

宽度 - 4.2 mm -

高度 - 5.2 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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