BSM200GA120DN2和MG150Q2YS51的区别_BSM200GA120DN2代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)BREAKER 20A 1P 120V 10K BL

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw - -

引脚数 5 - -

封装 62MM - -

耗散功率 1550 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.55 kW - -

长度 106.4 mm - -

宽度 61.4 mm - -

高度 36.5 mm - -

封装 62MM - -

产品生命周期 Not Recommended for New Design Obsolete Obsolete

包装方式 Box - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

ECCN代码 EAR99 - -