PN2907ABU和PN2907ATA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PN2907ABU PN2907ATA MPS2907AG

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PN2907ABU  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 625 mW, -800 mA, 50 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PN2907ATA  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 625 mW, -800 mA, 50 hFEON SEMICONDUCTOR  MPS2907AG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 625 mW, -600 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -800 mA -800 mA -600 mA

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

增益频宽积 - 200 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 300 300 300

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 50 50 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

长度 - 5.2 mm 5.2 mm

宽度 - 3.93 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Ammo Pack Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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