MT29F16G08ABCCBH1-10:C和MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F16G08ABCCBH1-10:C MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C MT29F16G08ABCCBH1-10Z:C

描述 IC FLASH 16GBIT 100VBGASLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 16Gbit 2G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGASLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 16Gbit 2G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 100 100 100

封装 VBGA-100 VBGA-100 VBGA-100

工作电压 3.30 V 3.30 V 3.30 V

供电电流 - 50 mA -

位数 8 8 8

内存容量 2000000000 B 2000000000 B 2000000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 VBGA-100 VBGA-100 VBGA-100

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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