2N5578和JANTXV2N5685

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5578 JANTXV2N5685 JANTX2N5685

描述 Trans Npn To-66NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3 TO-3 TO-3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - - 300 W

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 50A 50A

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @25A, 2V 15 @25A, 2V

额定功率(Max) - 300 W 300 W

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW 300000 mW

封装 TO-3 TO-3 TO-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

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