IXTH60N20L2和IXTQ60N20L2

对比图

型号 IXTH60N20L2 IXTQ60N20L2 APT20M45BVFRG

描述 TO-247 N-CH 200V 60AN沟道 200V 60ATO-247 N-CH 200V 56A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

引脚数 3 - 3

耗散功率 540 W 540W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 10500pF @25V(Vds) 4860pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 540W (Tc) 540W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 56.0 A

极性 N-CH - N-CH

输入电容 - - 4.86 nF

栅电荷 - - 195 nC

连续漏极电流(Ids) 60A - 56.0 A

上升时间 23 ns - 14 ns

额定功率(Max) - - 300 W

下降时间 18 ns - 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free