24AA256-I/SN和BR24S256FJ-WE2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 24AA256-I/SN BR24S256FJ-WE2 CAT24C256WI-G

描述 MICROCHIP  24AA256-I/SN  EEPROM, AEC-Q100, 256 Kbit, 32K x 8位, 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚ROHM  BR24S256FJ-WE2  EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8位, 400 kHz, 串行 I2C, SOP, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  CAT24C256WI-G  EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8位, 100 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 1.70V (min) 1.80V (min)

供电电流 3 mA 2.5 mA 3 mA

针脚数 8 8 8

时钟频率 400 kHz 400 kHz 400 kHz

内存容量 32000 B 32000 B 32000 B

存取时间(Max) 900 ns 900 ns 900 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 5.5V 1.7V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V 1.8 V

存取时间 900 ns - 500 ns

工作电压 1.7V ~ 5.5V - -

输入电容 10 pF - -

上升时间 1000 ns - -

下降时间 300 ns - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.25 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -

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