IRL3803VPBF和STP90NF03L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL3803VPBF STP90NF03L IRFZ14PBF

描述 MOSFET, 30V, 140A, 5.5MOHM, 50.7NC QG, LOGIC LEVEL, TO-220ABN沟道30V - 0.0056ohm - 90A TO- 220 / I2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 60.0 V

额定电流 140 A 90.0 A 10.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 7.5 mΩ 6.5 mΩ 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 150 W 43 W

阈值电压 1 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 60 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 140 A 90.0 A 10.0 A

上升时间 180 ns 200 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 3720pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 150 W 43 W

下降时间 - 105 ns 19 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 150W (Tc) 43 W

通道数 - 1 -

输入电容 3720pF @25V 2700 pF -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

产品系列 IRL3803V - -

长度 10.66 mm 10.4 mm 10.41 mm

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

高度 16.51 mm 9.15 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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