对比图
型号 FQPF50N06 STB55NF06T4 STP55NF06FP
描述 LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP55NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 31.0 A 50.0 A 50.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 22.0 mΩ 0.015 Ω 0.018 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 47 W 110 W 30 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 50.0 A 50.0 A
上升时间 105 ns 50 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 1540pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 47 W 110 W 30 W
下降时间 65 ns 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 47W (Tc) 110W (Tc) 30000 mW
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 9.35 mm 4.6 mm
高度 16.3 mm 4.6 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -