对比图
型号 NDD60N360U1-1G TK12E60U NDD60N360U1-35G
描述 600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFETTOSHIBA TK12E60U Power MOSFET, N Channel, 12A, 600V, 0.4Ω, 10V, 3V600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-220 TO-251-3
无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 114W (Tc) 144 W 114W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - - 11A
输入电容(Ciss) 790pF @50V(Vds) - 790pF @50V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 114W (Tc) - 114W (Tc)
漏源极电阻 - 0.4 Ω -
阈值电压 - 3 V -
封装 TO-247-3 TO-220 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
香港进出口证 - NLR -