IRL3705ZPBF和PHP54N06T,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL3705ZPBF PHP54N06T,127 STP60N55F3

描述 N沟道,55V,75A,8mΩ@10VTO-220AB N-CH 55V 54AN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

漏源极电阻 12 mΩ - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 130 W 118 W 110 W

产品系列 IRL3705Z - -

输入电容 2880pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 54A -

上升时间 240 ns 74 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 1592pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 130 W 118 W 110 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

下降时间 - 40 ns 11.5 ns

耗散功率(Max) - 118W (Tc) 110W (Tc)

长度 10.66 mm 10.3 mm -

高度 9.02 mm 9.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.7 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - - EAR99

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