ISL9000AIRJNZ和ISL9000IRJNZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL9000AIRJNZ ISL9000IRJNZ ISL9000AIRJNZ-T

描述 双路LDO具有低噪声,非常高PSRR ,低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ双路LDO具有低噪声,非常高PSRR ,低智商 Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQFixed Positive LDO Regulator, 2 Output, 2.8V1, 3.3V2, CMOS, PDSO10

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 稳压芯片稳压芯片

基础参数对比

封装 DFN-10 VFDFN-10 HVSON

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

输出电流 300 mA 300 mA 300 mA

输入电压 2.3V ~ 6.5V 2.3V ~ 6.5V 2.3V ~ 6.5V

输出接口数 2 2 -

跌落电压 0.25 V @ 300 mA, 0.2 V @ 300 mA - -

输入电压(Max) 6.5 V 6.5 V -

输入电压(Min) 2.3 V 2.3 V -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

静态电流 - 0.042 mA -

精度 - ±0.8 % -

封装 DFN-10 VFDFN-10 HVSON

长度 3 mm - -

宽度 3 mm - -

高度 0.9 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube, Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -

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