FQP1N60和FQU1N60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP1N60 FQU1N60C

描述 QFET N沟道 QFET N-CHANNEL600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 IPAK

额定电压(DC) 600 V -

额定电流 1.20 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 11.5 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 40 W -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.20 A 1A

上升时间 25 ns -

输入电容(Ciss) 150pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 40 W -

下降时间 25 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 40W (Tc) -

长度 10.67 mm -

宽度 4.7 mm -

高度 16.3 mm -

封装 TO-220-3 IPAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

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