CD4021BE和CD4021BNSR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CD4021BE CD4021BNSR HEF4021BP

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CD4021BE  移位寄存器, 并行至串行、串行至串行, 1元件, DIP, 16 引脚, 3 V, 18 VCMOS 8级静态移位寄存器 CMOS 8-Stage Static Shift RegistersNXP  HEF4021BP  移位寄存器, 并行至串行, 1元件, DIP, 16 引脚, 4.5 V, 15.5 V

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) NXP (恩智浦)

分类 移位寄存器移位寄存器移位寄存器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 PDIP-16 SOIC-16 DIP

数字逻辑电平 CMOS - -

电源电压(DC) 15.0 V, 18.0 V (max) - 4.50V (min)

工作电压 3V ~ 18V - -

输出接口数 3 - -

电路数 1 - -

针脚数 16 - 16

位数 8 - -

电压波节 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V -

耗散功率 500 mW - -

输入电容 5 pF - -

输入数 9 - -

工作温度(Max) 125 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -40 ℃

电源电压 3V ~ 18V 3V ~ 18V -

电源电压(Max) 18 V - 15.5 V

电源电压(Min) 3 V - 4.5 V

频率 - - 40.0 MHz

逻辑门个数 - - 1

长度 19.3 mm - -

宽度 6.35 mm - -

高度 4.57 mm - -

封装 PDIP-16 SOIC-16 DIP

重量 0.015227096868 kg - -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

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