BZV55-C9V1,115和BZV55-C9V1,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C9V1,115 BZV55-C9V1,135 PMBTA44,215

描述 NXP  BZV55-C9V1,115  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CMini-MELF 9.05V 0.5W(1/2W)NXP  PMBTA44,215  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 20 MHz, 250 mW, 300 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 3

封装 SOD-80 Mini-MELF SOT-23-3

频率 - - 20 MHz

针脚数 2 - 3

极性 - - NPN

耗散功率 500 mW 500 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 400 V

集电极最大允许电流 - - 0.3A

最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @10mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 200

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) - - 50

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 9.1 V 9.1 V -

正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 SOD-80 Mini-MELF SOT-23-3

长度 3.7 mm - -

宽度 1.6 mm - -

高度 1.6 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ 150℃ (TJ)

温度系数 5.5 mV/K 5.5 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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