对比图
型号 BSO615NG IRF7103TRPBF IRF7103PBF
描述 60V,2.6A,N沟道功率MOSFETINFINEON IRF7103TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IRF7103PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2 W 2 W
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.11 Ω 0.13 Ω
极性 Dual N-Channel N-CH Dual N-Channel
耗散功率 - 2 W 2 W
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 380 pF 290 pF 290pF @25V
漏源极电压(Vds) 60 V 50 V 50 V
漏源击穿电压 - 50 V 50 V
连续漏极电流(Ids) 2.60 A 3A 3A
上升时间 - 8 ns 8 ns
热阻 - 50℃/W (RθJA) 62.5℃/W (RθJA)
输入电容(Ciss) 380pF @25V(Vds) 290pF @25V(Vds) 290pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
下降时间 - 25 ns 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2 W 2 W
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 2.60 A - -
栅电荷 20.0 nC - -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -