AP9974GP和IPP110N06LG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AP9974GP IPP110N06LG IPP120N06NG

描述 TO-220 N-CH 60V 72AOptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorOptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Advanced Power Electronics (富鼎先进电子) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220 TO-220

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 78.0 A 75.0 A

输入电容 - 2.70 nF 2.10 nF

栅电荷 - 79.0 nC 62.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60.0 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 72A 78.0 A 75.0 A

输入电容(Ciss) - - 2100pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - - 158 W

极性 N-CH - -

封装 TO-220 TO-220 TO-220

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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