IS43DR16160B-37CBLI和IS43DR16160B-37CBLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16160B-37CBLI IS43DR16160B-37CBLI-TR IS43DR16160A-37CBLI

描述 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16M x 16 DDR2DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84 84

封装 TFBGA-84 BGA-84 TFBGA-84

供电电流 205 mA - 270 mA

时钟频率 266 MHz - -

位数 16 16 -

存取时间 500 ps 500 ps -

存取时间(Max) 0.5 ns 0.5 ns 0.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

封装 TFBGA-84 BGA-84 TFBGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 PB free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司