BC33725TFR和PN2907ABU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC33725TFR PN2907ABU BC33725TAR

描述 ON Semiconductor BC33725TFR , NPN 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:100, 50 MHz, 3引脚 TO-92封装PN系列 PNP 625 mW 60 V 800 mA 通孔 通用 晶体管-TO-92-3ON Semiconductor BC33725TAR , NPN 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:100, 50 MHz, 3引脚 TO-92封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 100 MHz 200 MHz 100 MHz

耗散功率 0.625 W 625 mW 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 60 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 100 @150mA, 10V 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 50 -

长度 4.58 mm - 4.58 mm

宽度 3.86 mm - 3.86 mm

高度 4.58 mm - 4.58 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

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