BSO080P03NS3G和BSO080P03SHXUMA1的区别_BSO080P03NS3G代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO080P03NS3G BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03NS3EG

描述 OptiMOSTM3 P3功率三极管 OptiMOSTM3 P3-Power-TransistorINFINEON BSO080P03SHXUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -1.5 VOptiMOSTM3 P3功率三极管 OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 PG-DSO-8

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 8 -

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 PG-DSO-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.65 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

额定功率 - 1.79 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.0067 Ω -

极性 - P-Channel -

耗散功率 - 1.79 W -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

连续漏极电流(Ids) - 12.6A -

上升时间 - 22 ns -

输入电容(Ciss) - 4430pF @25V(Vds) -

下降时间 - 110 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2500 mW -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -