70P245L90BYGI和CYDM064B16-55BVXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70P245L90BYGI CYDM064B16-55BVXIT 70P245L90BYGI8

描述 IC SRAM 64Kbit 90NS 100FBGASRAM Chip Async Dual 1.8V 64Kbit 4K x 16 55ns 100Pin VFBGA T/RIC SRAM 64Kbit 90NS 100FBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TFBGA-100 BGA-100 TFBGA-100

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 100 -

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

位数 - 16 -

存取时间 - 55 ns -

存取时间(Max) - 55 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

封装 TFBGA-100 BGA-100 TFBGA-100

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

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