1N753CE3TR和JAN1N753C-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N753CE3TR JAN1N753C-1 1N753C

描述 DO-35 6.2V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDiode Zener Single 6.2V 2% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) New Jersey Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

耗散功率 500 mW 0.5 W -

测试电流 - 20 mA -

稳压值 6.2 V 6.2 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

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