IS66WVE2M16DBLL-70BLI和IS66WVE2M16EBLL-55BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS66WVE2M16DBLL-70BLI IS66WVE2M16EBLL-55BLI

描述 PSRAM Async 32M-Bit 2M x 16 16Bit 70ns 48Pin TFBGA静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器 Asynch/Pg 2Mx16 55ns

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 BGA-48 TFBGA-48

位数 16 16

存取时间 70 ns -

存取时间(Max) 70 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 2.7 V -

封装 BGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99

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