对比图
型号 IXFH94N30P3 IXFN90N30 IXTK102N30P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH94N30P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 VSOT-227B N-CH 300V 90AIXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 4 3
封装 TO-247-3 SOT-227-4 TO-264-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.036 Ω - 33 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 1.04 kW 560W (Tc) 700 W
阈值电压 5 V 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 94A 90A 102 A
上升时间 19 ns 55 ns 28 ns
反向恢复时间 - - 250 ns
输入电容(Ciss) 5510pF @25V(Vds) 10000pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)
下降时间 11 ns 40 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 560W (Tc) 700W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 300 V - -
额定功率(Max) 1040 W - -
封装 TO-247-3 SOT-227-4 TO-264-3
宽度 5.3 mm 25.42 mm -
长度 16.26 mm - -
高度 21.46 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -