1N3998A和JANTXV1N3998A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3998A JANTXV1N3998A

描述 硅10瓦齐纳二极管 Silicon 10 WATT Zener Diodes10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

引脚数 2 -

封装 DO-203AA DO-4

容差 ±5 % -

正向电压 1.5V @2A -

耗散功率 10000 mW 10 W

测试电流 405 mA -

稳压值 6.2 V 6.2 V

额定功率(Max) 10 W -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

封装 DO-203AA DO-4

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 -

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