对比图
型号 IXFH26N55Q IXTV26N50P IXFV26N50P
描述 Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3
耗散功率 375 W 460W (Tc) 400 W
漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V
上升时间 18 ns - 25 ns
输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)
下降时间 13 ns - 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 460W (Tc) 400W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V 500 V
额定电流 - 26.0 A 26.0 A
输入电容 - 3.60 nF 3.60 nF
栅电荷 - 65.0 nC 60.0 nC
连续漏极电流(Ids) - 26.0 A 26.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 230 mΩ
极性 - - N-Channel
漏源击穿电压 - - 500 V
长度 16.26 mm - 11 mm
宽度 5.3 mm - 4.7 mm
高度 21.46 mm - 15 mm
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free