1N4714C-AP和JAN1N5546C-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4714C-AP JAN1N5546C-1 1N4714C-TP

描述 DO-35 33V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWDO-35 33V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 500 mW - 500 mW

稳压值 33 V 33 V 33 V

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 End of Life Active End of Life

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

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