IS61LV256-15J和K6E0808V1E-JC15

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61LV256-15J K6E0808V1E-JC15 IDT71V256SB15Y

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 256Kbit 32K x 8 15ns 28Pin SOJStandard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-283.3V CMOS快速SRAM具有2.5V兼容输入256K ( 32K ×8位) 3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 SOJ SOJ SOJ

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 28 - -

封装 SOJ SOJ SOJ

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tube - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

位数 8 - -

存取时间 15.0 ns - -

内存容量 256000 B - -

存取时间(Max) 15 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 3.3 V - -

ECCN代码 EAR99 - -

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