1N757和JAN1N757A-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N757 JAN1N757A-1 1N757ATR

描述 9.1V Professional Grade 400mW Axial Zener DiodeYSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDiode Zener Single 9.1V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/R

数据手册 ---

制造商 Continental Device Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - DO-35 DO-35-2

耗散功率 - 480 mW 500 mW

测试电流 - 20 mA 20 mA

稳压值 - 9.1 V 9.1 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ 65 ℃

额定电压(DC) - - 9.10 V

容差 - - ±5 %

额定功率 - - 400 mW

正向电压 - - 1.5V @200mA

额定功率(Max) - - 500 mW

封装 - DO-35 DO-35-2

长度 - - 4.56 mm

宽度 - - 1.91 mm

高度 - - 1.91 mm

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Bag Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃

ECCN代码 - - EAR99

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