IPP60R180P7XKSA1和IPP60R230P6XKSA1

对比图

型号 IPP60R180P7XKSA1 IPP60R230P6XKSA1 STP26N60DM6

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.195 ohm

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.145 Ω 0.207 Ω 0.195 Ω

耗散功率 72 W 126 W -

阈值电压 3.5 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

上升时间 12 ns 7 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1081pF @400V(Vds) 1450pF @100V(Vds) 940pF @100V(Vds)

下降时间 8 ns 6 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 72W (Tc) 126W (Tc) 130000 mW

额定功率 - 126 W -

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 16.8A -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -