对比图
型号 BC859C BC860B BC859C,215
描述 Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorsNXP BC859C,215 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 420 hFE
数据手册 ---
制造商 Diotec Semiconductor Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3
耗散功率 250 mW - 250 mW
增益频宽积 100 MHz - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 250 mW - 250 mW
频率 - - 100 MHz
针脚数 - - 3
极性 - - PNP, P-Channel
击穿电压(集电极-发射极) - - 30 V
集电极最大允许电流 - - 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - - 420 @2mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - - 420 @2mA, 5V
额定功率(Max) - - 250 mW
直流电流增益(hFE) - - 420
封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3
材质 Silicon - -
工作温度 - - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -