对比图
型号 DS1230W-100IND DS1230W-100+ DS1230W-100IND+
描述 IC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230W-100+ 芯片, 存储器, NVRAMNon-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 -
封装 EDIP-28 DIP-28 EDIP-28
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.00V (min) -
时钟频率 100 GHz - -
存取时间 100 ns 100 ns 100 ns
内存容量 256000 B 32000 B -
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V
针脚数 - 28 -
长度 39.12 mm - 39.12 mm
宽度 18.29 mm - 18.29 mm
高度 9.4 mm - 9.4 mm
封装 EDIP-28 DIP-28 EDIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Each Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅