IS42SM32160C-75BL和IS42SM32160E-75BL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM32160C-75BL IS42SM32160E-75BL

描述 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, FBGA-90DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 BGA-90 BGA-90

位数 32 32

存取时间 5.4 ns 6 ns

存取时间(Max) 7ns, 5.4ns 8ns, 6ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 2.7 V

供电电流 170 mA -

高度 - 0.8 mm

封装 BGA-90 BGA-90

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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